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BAS82中文资料

BAS82图片

BAS82外观图

  • 大小:480.44KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:BAS81-BAS83 Integrated protection ring against static dis- charge Low capacitance Low leakage current Low forward voltage drop Very low switching time Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit Reverse voltage BAS81 V R 40 V g BAS82 V R 50 V BAS83 V R 60 V Peak forward surge current t p =1s I FSM 500 mA Repetitive peak forward current I FRM 150 mA Forward current I F 30 mA Junction temperature T j 125 C Storage temperature range T stg –65...+150 C T j = 25 C Parameter Test Conditions Symbol Value Unit Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm R thJA 320 K/W T j = 25 C Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit Forward voltage I F =0.1mA V F 330 mV g I F =1mA V F 410 mV I F =15mA V F 1 V Reverse current V R =V Rmax I R 200 nA Diode capacitance V R =1V, f=1MHz C D 1.6 pF Features Maximum Ratings @ T A = 25°C unless otherwise specified 1 of 2 www.sunmate.tw Maximum Thermal Resistance Electrical Characteristics SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL SCHOTTKY DI
  • 二极管类型::肖特基
  • 电流, If 平均::30mA
  • 电压, Vrrm::50V
  • 电流, Ifs 最大::500mA
  • 封装形式::SOD-80
  • 针脚数::2
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 封装类型::SOD-80
  • 正向电压, 于If::410mV
  • 电流, If @ Vf::30mA
  • 表面安装器件::表面安装

BAS82供应商

更新时间:2023-01-12 08:27:48
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